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IGZO-DRAM的核心工作原理依托IGZO材料特性与2T0C无电容架构实现，具体如下：
核心存储机制
它依靠IGZO晶体管的极低关态漏电流（低至10⁻¹⁸A量级，比硅基晶体管低5~6个数量级），以读取晶体管的栅极氧化层电容作为存储节点，替代传统DRAM的独立电容来存储电荷，无需额外集成电容器件。
读写操作逻辑
写入时，通过写入晶体管调控存储节点的电荷状态，利用IGZO的低泄漏特性让电荷长时间留存；读取时，通过监测读取晶体管的输出电流，区分不同的电荷存储状态，完成数据读出。
多值与扩展特性
凭借IGZO极低的漏电表现，它可实现单单元多比特存储，部分方案能做到3bit甚至4bit存储，还支持三维堆叠进一步提升整体存储密度，大幅延长无刷新数据保持时间。
核心存储机制
它依靠IGZO晶体管的极低关态漏电流（低至10⁻¹⁸A量级，比硅基晶体管低5~6个数量级），以读取晶体管的栅极氧化层电容作为存储节点，替代传统DRAM的独立电容来存储电荷，无需额外集成电容器件。
读写操作逻辑
写入时，通过写入晶体管调控存储节点的电荷状态，利用IGZO的低泄漏特性让电荷长时间留存；读取时，通过监测读取晶体管的输出电流，区分不同的电荷存储状态，完成数据读出。
多值与扩展特性
凭借IGZO极低的漏电表现，它可实现单单元多比特存储，部分方案能做到3bit甚至4bit存储，还支持三维堆叠进一步提升整体存储密度，大幅延长无刷新数据保持时间。
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jian - 淡淡的名贵
赞同来自: haoxiansheng 、happysam2018 、gaokui16816888 、跑路皮皮
感觉市场走向不是我们能预测的，也不是所谓主力能把控的。大家都是蒙着来，也很难有好的预案，比如长鑫开在30元以下买，开在40元以上卖？科创芯片股的走势，大概是跟随外盘为主？
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为了后续另外几个上市
或许有惊喜也未尝不是
除非它是最后一个大块头。。。。亦即最后那个上市的，大概率是高卡低走，而长鑫可能会是有惊喜那个，毕竟是“老乡别走”
或许有惊喜也未尝不是
除非它是最后一个大块头。。。。亦即最后那个上市的，大概率是高卡低走，而长鑫可能会是有惊喜那个，毕竟是“老乡别走”
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赞同来自: 鲈鱼堪脍 、Cogitators 、freetstar89 、跑路皮皮 、集思小子 、 、 、 、 、 、 、更多 »
之前预期是今天涨一下为长鑫造势，周一长鑫自己玩，其他科技躺平。现在预期是周一长鑫高开高走，科技一起热闹两三天，然后科技继续调整。老登和科技一般就翘翘板，不过老登毕竟在低位，应该调不久。
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