核心存储机制
它依靠IGZO晶体管的极低关态漏电流(低至10⁻¹⁸A量级,比硅基晶体管低5~6个数量级),以读取晶体管的栅极氧化层电容作为存储节点,替代传统DRAM的独立电容来存储电荷,无需额外集成电容器件。
读写操作逻辑
写入时,通过写入晶体管调控存储节点的电荷状态,利用IGZO的低泄漏特性让电荷长时间留存;读取时,通过监测读取晶体管的输出电流,区分不同的电荷存储状态,完成数据读出。
多值与扩展特性
凭借IGZO极低的漏电表现,它可实现单单元多比特存储,部分方案能做到3bit甚至4bit存储,还支持三维堆叠进一步提升整体存储密度,大幅延长无刷新数据保持时间。
jian - 淡淡的名贵
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或许有惊喜也未尝不是
除非它是最后一个大块头。。。。亦即最后那个上市的,大概率是高卡低走,而长鑫可能会是有惊喜那个,毕竟是“老乡别走”
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