国内SiC产业链

国内SiC产业链核心龙头聚焦衬底、器件、设备三大环节，以下为各环节核心标的与关键优势，适配Co­W­oS封装等AI算力场景布局参考

衬底环节（技术壁垒最高）

天岳先进（688234）：国内半绝缘型SiC衬底绝对龙头，6英寸半绝缘衬底批量供应，8英寸在验证，正扩产导电型衬底，适配高性能芯片散热与先进封装需求。

三安光电（600703）：SiC全产业链IDM龙头，长沙基地6英寸衬底量产，8英寸衬底与外延片小规模量产，和意法半导体合资建8英寸SiC产线，产能与技术协同优势显著。

天科合达（天富能源600509控股）：国内导电型SiC衬底领先，聚焦新能源与光伏，衬底技术实力强，依托天富能源实现产业链协同。

器件与模块环节

斯达半导（603290）：国内车规级SiC MO­S­F­ET模块市占率领先，深度绑定比亚迪、理想等，车规级模块出货量国内第一，封装技术适配高功率场景。

比亚迪半导体：功率半导体全球前10，SiC模块在新能源汽车领域应用广泛，自研模块成本优势明显，适配高功率器件散热需求。

设备环节

晶盛机电（300316）：SiC长晶设备全球龙头，市占率超60%，8英寸设备已交付天科合达、三安光电等，为衬底扩产提供关键设备支撑，适配大尺寸SiC衬底产能建设。

核心投资逻辑

衬底优先：天岳先进、三安光电技术与产能领先，直接受益Co­W­oS封装SiC中介层需求爆发。

设备同步：晶盛机电绑定头部衬底企业，SiC产能扩张直接带动设备需求。

器件配套：斯达半导等在车规级领域验证充分，技术与产能可迁移至高算力芯片封装场景。